Hemm żewġ tipi ewlenin ta 'DMOS, transistor vertikali b'effett ta' kamp semikonduttur ta 'ossidu tal-metall b'difużjoni doppja VDMOSFET (MOSFET vertikali b'difużjoni doppja) u transistor laterali b'effett ta' kamp ta 'semikonduttur ta' ossidu tal-metall laterali LDMOSFET (MOSFET laterali b'differenza doppja). LDMOS huwa adottat b'mod wiesa 'minħabba li huwa aktar faċli li tkun kompatibbli mat-teknoloġija CMOS. LDMOS
LDMOS (semikonduttur tal-ossidu tal-metall imxerred lateralment)
LDMOS huwa apparat tal-enerġija bi struttura mxerrda doppja. Din it-teknika hija li tiddaħħal darbtejn fl-istess reġjun ta 'sors / drain, impjantazzjoni waħda ta' arseniku (As) b'konċentrazzjoni akbar (doża ta 'impjantazzjoni tipika ta' 1015cm-2), u impjantazzjoni oħra ta 'boron (b'konċentrazzjoni iżgħar (doża ta' impjantazzjoni tipika ta ' 1013cm-2)). B). Wara l-impjantazzjoni, jitwettaq proċess ta 'propulsjoni b'temperatura għolja. Peress li l-boron jinfirex aktar malajr mill-arseniku, se jinfirex iktar fid-direzzjoni laterali taħt il-konfini tal-bieb (P-well fil-figura), u jifforma kanal bi gradjent ta 'konċentrazzjoni, u t-tul tal-kanal tiegħu Determinat bid-differenza bejn iż-żewġ distanzi ta' diffużjoni laterali . Sabiex tiżdied il-vultaġġ ta 'ħsara, hemm reġjun ta' drift bejn ir-reġjun attiv u r-reġjun tal-fossa. Ir-reġjun tad-drift fl-LDMOS huwa ċ-ċavetta għad-disinn ta 'dan it-tip ta' apparat. Il-konċentrazzjoni ta 'impurità fir-reġjun tat-tifrix hija relattivament baxxa. Għalhekk, meta l-LDMOS ikun imqabbad ma 'vultaġġ għoli, ir-reġjun tad-drift jista' jiflaħ vultaġġ ogħla minħabba r-reżistenza għolja tiegħu. L-LDMOS polikristallin muri fil-Fig. 1 jestendi għall-ossiġnu tal-kamp fir-reġjun tat-tifrix u jaġixxi bħala pjanċa tal-kamp, li ddgħajjef il-kamp elettriku tal-wiċċ fir-reġjun tat-tifrix u tgħin biex iżżid il-vultaġġ tat-tkissir. Id-daqs tal-pjanċa tal-kamp huwa relatat mill-qrib mat-tul tal-pjanċa tal-kamp [6]. Biex il-pjanċa tal-kamp tkun kompletament funzjonali, wieħed irid jiddisinja l-ħxuna tas-saff SiO2, u t-tieni, it-tul tal-pjanċa tal-kamp għandu jkun iddisinjat.
L-apparat LDMOS għandu substrat, u reġjun tas-sors u reġjun tad-drenaġġ huma ffurmati fis-sottostrat. Saff iżolanti huwa pprovdut fuq parti tas-substrat bejn ir-reġjuni tas-sors u tad-drenaġġ biex jipprovdi interface pjan bejn is-saff iżolanti u l-wiċċ tas-substrat. Imbagħad, membru iżolanti huwa ffurmat fuq parti tas-saff iżolanti, u saff tal-bieb huwa ffurmat fuq parti tal-membru iżolanti u s-saff iżolanti. Bl-użu ta 'din l-istruttura, jinstab li hemm triq ta' kurrent dritta, li tista 'tnaqqas ir-reżistenza waqt li żżomm vultaġġ għoli ta' ħsara.
Hemm żewġ differenzi ewlenin bejn LDMOS u transisters MOS ordinarji: 1. Huwa jadotta struttura LDD (jew imsejħa reġjun drift); 2. Il-kanal huwa kkontrollat mill-fond tal-junction laterali ta 'żewġ diffużjonijiet.
1. Vantaġġi ta 'LDMOS
• Effiċjenza eċċellenti, li tista 'tnaqqas il-konsum tal-enerġija u l-ispejjeż tat-tkessiħ
• Linjarità eċċellenti, li tista 'tnaqqas il-ħtieġa għal pre-korrezzjoni tas-sinjal
• Ittejjeb l-impedenza termali ultra-baxxa, li tista 'tnaqqas id-daqs tal-amplifikatur u r-rekwiżiti tat-tkessiħ u ttejjeb l-affidabilità
• Kapaċità eċċellenti ta 'qawwa massima, rata għolja ta' dejta 3G b'rata minima ta 'żball ta' dejta
• Densità ta 'qawwa għolja, bl-użu ta' inqas pakketti ta 'transisters
• Induttanza ultra-baxxa, feedback kapaċitanza u impedenza tal-bieb tas-sekwenza, li bħalissa tippermetti lit-transisters LDMOS jipprovdu titjib ta '7 bB fuq apparat bipolari
• L-ert dirett mis-sors itejjeb il-qligħ tal-enerġija u jelimina l-ħtieġa għal sustanzi ta 'iżolament BeO jew AIN
• Qligħ ta 'enerġija għolja bi frekwenza GHz, li jirriżulta f'inqas passi tad-disinn, disinn aktar sempliċi u kosteffettiv (bl-użu ta' transisters ta 'sewqan bi prezz baxx u ta' enerġija baxxa)
• Stabbiltà eċċellenti, minħabba l-kostanti tat-temperatura tal-kurrent negattiv tal-fossa, u għalhekk mhix affettwata mit-telf tas-sħana
• Jista 'jittollera diskrepanza ta' tagħbija ogħla (VSWR) aħjar minn trasportaturi doppji, u jtejjeb l-affidabbiltà ta 'applikazzjonijiet fuq il-post
• Stabbiltà RF eċċellenti, b'saff ta 'iżolament inkorporat bejn il-bieb u l-fossa, li tista' tnaqqas il-kapaċitanza tal-feedback
• Affidabilità tajba ħafna fil-ħin medju bejn fallimenti (MTTF)
2. L-iżvantaġġi ewlenin ta 'LDMOS
1) Densità ta 'enerġija baxxa;
2) Huwa faċilment imħassar bl-elettriku statiku. Meta l-qawwa tal-ħruġ hija simili, l-erja tal-apparat LDMOS hija akbar minn dik tat-tip bipolari. B'dan il-mod, in-numru ta 'imut fuq wejfer wieħed huwa iżgħar, u dan jagħmel l-ispiża tal-apparati MOSFET (LDMOS) ogħla. Iż-żona akbar tillimita wkoll il-qawwa effettiva massima ta 'pakkett partikolari. L-elettriku statiku normalment jista 'jkun għoli daqs bosta mijiet ta' volt, li jistgħu jagħmlu ħsara lill-bieb tal-apparat LDMOS mis-sors sal-kanal, għalhekk huma meħtieġa miżuri anti-statiċi.
Fil-qosor, l-apparati LDMOS huma partikolarment adattati għal applikazzjonijiet li jeħtieġu firxa wiesgħa ta 'frekwenza, linearità għolja u rekwiżiti ta' ħajja ta 'servizz għolja bħal CDMA, W-CDMA, TETRA, u televiżjoni diġitali terrestri.
prodotti oħra tagħna:
